AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:69A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:59mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的电性能和可靠性。其连续漏极电流ID可达69A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高电压应用场景。导通电阻RDON为59mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。碳化硅材料的引入显著提升了器件的热稳定性和高频响应能力，使其适用于高功率密度电源转换、高效电机控制及精密电子设备中的复杂电路设计需求。
