UF3SC120016K4S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为120A 1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻（RDON: 16mΩ），适用于高效率、高频率的功率转换场景。其高耐压特性支持在高压电路中稳定工作，适用于电源适配器、新能源设备及高密度功率系统的设计。器件基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和开关性能，有助于提升整体系统效率并减小散热设计压力，适合复杂工况下的长期运行需求。
