RSM120040W_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备40mΩ的低导通电阻和60A的连续漏极电流能力，支持高密度功率设计与高效能操作。碳化硅材料特性使其在高频开关和高温环境下仍保持稳定性能，降低能量损耗。适用于高效电源转换、新能源接入、智能电网以及精密电力控制等应用，为高要求的电力系统提供可靠的技术支持。
