IV1Q12080T4Z_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。高耐压特性使其适用于高功率密度电源转换系统，如高效能直流电源、储能系统及智能电网设备。器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和高频工作能力，适合对效率与可靠性有较高要求的电力电子应用。
