PCDP2065GC_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高频开关能力与高温稳定性，反向恢复时间短，开关损耗显著低于传统硅器件。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如大功率开关电源、可再生能源发电逆变装置、储能系统功率模块及高性能不间断电源。其电气特性有助于提升系统整体能效，降低热管理设计难度，满足对高可靠性与紧凑布局有要求的应用场景。
