GC3M0040120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID可达60A，导通电阻RDON低至40mΩ，确保在高电流工作条件下仍保持较低的导通损耗。采用碳化硅材料工艺，器件具备更高的热稳定性和耐高压能力，适用于需要高效能功率转换的场景。该MOSFET可广泛应用于能源系统、智能电网、高端电源变换器及精密电机控制电路中，为电路设计提供更高的可靠性和效率支持。
