LGE3M35120Q_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V耐压的N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻特性，典型值为32mΩ，可支持持续漏极电流达63A。碳化硅材料的应用显著提升了器件的开关效率与热稳定性，适用于高频率、高效率的功率转换场景。该器件可广泛用于高效能电源系统，如高密度电源模块、快速充电设备及可再生能源转换装置中，满足对小型化与高效能有要求的电路设计需求。
