B1D10120K_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式设计，具备10A的平均正向整流电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压、大电流的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.39V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料，器件具备优异的反向恢复特性，支持高频开关操作，减少能量损耗并提升系统效率。典型应用包括高效开关电源、不间断电源、光伏逆变系统及高功率密度电源模块，尤其适合对热性能和电气可靠性要求较高的场合。
