IV1Q06060T3G_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻与高电流承载能力。其最大漏极电流ID为39A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。相较于传统硅基器件，碳化硅材料带来更优的高频响应与热稳定性，适用于高密度电源转换设备，如高效能适配器、储能系统以及智能能源管理装置，适用于对功率表现与可靠性有较高要求的电力电子设计。
