GC3M0065090D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:65mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用N沟道结构，支持36A连续漏极电流（ID）和900V漏源击穿电压（VDSS），适用于高功率密度和高电压转换场景。导通电阻（RDON）为65mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和快速开关能力，支持高频高效电力转换设计。可应用于高效电源系统、可再生能源转换装置及高密度电力控制设备，满足复杂工况下的性能与可靠性要求。
