GC3M0065100K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1000V 参数3：RDON:65mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1000V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具备优异的高耐压与导热性能。其漏极电流ID为36A，导通电阻RDON为65mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效。适用于高频、高效率的电力转换系统，如光伏逆变装置、智能能源管理系统及高效电源模块。器件设计注重热稳定性与可靠性，能够在较高工作温度下保持良好性能，适用于多种高性能电力电子应用环境。
