ASD465D_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:碳化硅二极管 最小包装:2500/圆盘 参数1:IF:4A 参数2:VR:650V 参数3:VF:1.4V 参数4:二极管配置:独立式 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为4A,反向重复峰值电压(VR)达650V,导通时正向压降(VF)为1.4V。基于碳化硅半导体材料,具备出色的热稳定性和极低的反向恢复电荷,可实现高频开关操作下的高效能表现。其快速开关特性有助于减少能量损耗和电磁干扰,适用于高效率电源系统,如通信电源、服务器电源模块、可再生能源逆变装置以及高密度功率因数校正电路,能够提升整体能效并支持紧凑化设计。
