KXJL65C10T3_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.51V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。该器件利用碳化硅材料的优异特性，具备快速开关能力和良好的热稳定性，适用于高频率、高电压的工作环境。典型应用场景包括高效电源转换模块、可再生能源逆变装置及高密度电源系统，适合对功率密度和能效有较高要求的电力电子设计。
