FCD260N65S3-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为160mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定驱动与过压保护。碳化硅材料赋予器件优异的高频开关特性、高温工作稳定性及快速响应能力，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括大功率开关电源、可再生能源发电逆变单元、储能系统功率模块及高密度电力变换装置，满足对小型化、高可靠性和低损耗的电路需求。
