ASD1065D_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅半导体材料，具备优异的高频开关能力，反向恢复时间短，开关损耗低，同时支持高温工作环境。其电气特性有助于提升电源系统的转换效率与功率密度。适用于高要求的电力转换场景，如大功率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、储能设备中的直流变换模块以及高效率AC-DC转换装置，尤其适合对热性能和空间利用率敏感的应用设计。
