TK9P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻为460mΩ，有助于降低功率损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定栅极驱动控制。采用碳化硅技术，具备优异的高频开关特性与高温工作能力，适用于高能效电源转换系统，如大功率开关电源、高密度DC-DC变换器及可再生能源发电中的逆变电路，有助于提升系统整体效率并改善热管理性能。
