CI08S65M3_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.42V。基于碳化硅半导体材料，具有优异的高温工作性能、低反向漏电流和极短的反向恢复时间，适用于高频开关环境。该器件可有效提升电源系统的转换效率，降低热损耗，减少外围元件数量。其封装形式支持高密度电路布局，广泛用于高性能电源装置，如通信基站电源、光伏逆变单元、高效率开关电源及储能系统的能量转换模块。
