BCD120S05D3_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备5A正向电流（IF）和1200V反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.38V。基于碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和极快的开关速度，反向恢复电荷极低，可显著减少开关损耗。其高耐压特性适用于高电压、高频率的电力转换场景，如高压电源系统、不间断电源、太阳能逆变装置及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统效率并减小散热设计负担。
