STF18N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，兼容主流驱动电路。碳化硅材料赋予器件优异的高频、高压工作能力及良好的热导性能，适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏并网逆变系统、储能电源模块等高密度功率应用，有助于提升系统转换效率，减小无源器件体积与散热设计复杂度。
