TK560P65Y,RQ_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高频开关能力与高温工作性能，适用于高功率密度电源系统，如高效AC-DC转换器、DC-DC变换模块及光伏逆变单元，在提升能效的同时减小系统体积。
