S3D08065G-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性，反向恢复时间极短，开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好，可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统，如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积，提升系统整体功率密度与能效水平。
