AOTF18N65L_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的高耐压与高热导特性，该器件适用于高频率、高效率的电源转换系统，如开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变单元及高密度电源模块，能在高温环境下保持优异的电气性能，提升系统整体能效与功率密度。
