STPSC4G065UFY-HXY_SMBF_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SMBF 类别:碳化硅二极管 最小包装:5000/圆盘 参数1:IF:4A 参数2:VR:650V 参数3:VF:1.3V 参数4:IR:10uA 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降(VF)为1.3V,在同类器件中表现出较低的导通损耗,有助于提升系统整体能效。反向漏电流(IR)典型值为10μA,具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性,该器件可在较高结温下稳定工作,适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中,实现快速开关与低损耗运行。
