IPD60R385CP-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，确保驱动可靠性与灵活性。采用碳化硅材料，具备优异的耐高温与高频特性，适用于高效率开关电源、直流变换模块及可再生能源发电中的功率转换电路。其低损耗和高热导率特性，有利于提升系统整体能效与功率密度，适合严苛的电力电子应用环境。
