IV1D06006F5_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.32V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.32V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和快速开关特性，可有效降低开关损耗并提升系统整体能效。其低反向漏电流和高耐温能力支持在高频率、高功率密度环境下稳定运行。适用于高性能电源转换系统，如高效开关电源、不间断电源模块及可再生能源逆变装置，满足对功率密度与长期可靠性有较高要求的电力电子应用。
