KS06065-N_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.32V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.32V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用场景包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器，满足对热性能和电气性能要求严苛的电路需求。
