HXY28N50TP_TO-3P_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3P 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:28A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:150mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有500V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适用于高电压开关场景。其导通电阻（RDON）为150mΩ，在28A的连续漏极电流（ID）下可保持较低的导通损耗，有利于提升能效。器件结合高电压耐受性与较强的电流处理能力，常用于电源转换拓扑，如DC-DC变换器、开关电源中的功率开关以及电机驱动电路中的控制单元，适合对开关速度和热稳定性有一定要求的高性能电路设计。
