STF19NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，器件在高频、高压工作条件下仍能保持较低损耗，广泛应用于高效电源变换器、可再生能源发电系统及高密度电源模块中，适合对能效和功率密度有较高要求的场景。
