STF14NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。采用碳化硅材料，提升了器件的耐压能力与开关速度，可有效降低系统损耗。广泛用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块，适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。
