BCH65S20D3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，较传统硅器件更低，有助于减少导通损耗，提高能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复性能和高温工作稳定性，支持高频开关操作。独立封装结构有利于热管理与电路集成，常用于高性能电源转换系统，如数据中心电源单元、电信整流模块、光伏逆变装置及高密度开关电源设计，满足对效率与可靠性要求较高的场景需求。
