YJD106510FQG2_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式设计，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，器件具有极低的反向恢复电荷和优异的高温工作性能，支持高频开关操作，可显著降低开关损耗与温升。适用于高效率电源转换系统，如通信基站电源、大功率适配器、可再生能源发电逆变单元及服务器级电源模块，能够提升系统能效，优化热管理设计，并满足对高功率密度与长期运行可靠性的要求。
