IPD65R380E6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定驱动与安全关断。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关环境，常见于高效电源转换电路、不间断电源系统、可再生能源发电单元以及高功率密度DC-DC变换器中，满足对热性能和转换效率要求较高的设计需求，有助于实现紧凑型、高可靠性电源方案。
