KN3D10065A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向耐压（VR）达650V，适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关性能和极短的反向恢复时间，可减少开关过程中的能量损耗与电压应力。适用于高效率开关电源、可再生能源发电系统的功率因数校正电路、高压直流变换模块及高密度电源适配器等应用，支持紧凑化设计与高效热管理。
