BCF65S10D3_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中等高功率密度的电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具备较低的导通损耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷极小，可有效降低开关损耗。适用于高频率直流-直流变换器、高效开关电源模块及紧凑型功率转换装置，尤其适合对热管理要求严苛和需要高功率密度设计的场景，有助于优化系统整体效率与体积。
