BCH65S10D3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具有优异的高温工作能力和快速开关响应，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于服务器电源、通信设备电源模块及可再生能源逆变系统中，作为整流与续流元件，有效支持紧凑化与高功率密度设计。
