CI10S65C3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-220C-2L 类别:碳化硅二极管 最小包装:50/管装 参数1:IF:10A 参数2:VR:650V 参数3:VF:1.38V 参数4:二极管配置:独立式 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降低至1.38V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性,支持高频开关操作,同时减少热耗散需求。典型应用场景包括高效开关电源、光伏逆变系统、储能设备中的功率因数校正电路以及对空间和散热有严格要求的紧凑型电力转换装置。
