S3D08065A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中高压电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，在同类器件中具有较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复电荷极小，可有效减少开关损耗。主要应用于高效开关电源、通信电源模块、不间断电源系统及高密度DC-DC转换器中，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子电路设计。
