BCH65S08D3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流8A，反向耐压650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.38V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作稳定性与极快的开关响应速度，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。适用于高频开关电源、高效整流模块、可再生能源发电中的功率调节电路、储能系统的能量管理单元，以及对热性能和转换效率要求较高的紧凑型电力电子设备。
