BCL65S08D3_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降为1.42V，在导通状态下能有效降低功率损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作能力与快速反向恢复特性，可支持高频开关环境。该器件适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高密度DC-DC变换器、不间断电源以及可再生能源发电中的整流与续流环节，满足对热性能与可靠性要求较高的设计需求。
