MDDG1C120R080K3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备高耐压与低导通电阻特性。最大连续漏极电流（ID）为36A，典型导通电阻（RDON）低至80mΩ，可实现高效功率转换。适用于高频率开关电源、高效能电源转换器及高性能电力电子系统，为复杂电力环境下的稳定运行提供保障。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和可靠性，适合对效率和空间布局有高要求的应用场景。
