BCZ120N21M1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:81A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有高耐压、低导通电阻和大电流承载能力。其最大漏极电流ID为81A，导通电阻RD(ON)低至21mΩ，有助于显著减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的热导性能和高频开关能力，适用于高功率密度、高效率的电力电子系统。可广泛应用于高效电源转换、新能源系统、储能设备及精密电力控制等场景，满足高性能与高可靠性需求。
