S1M014120H_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:165A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:13mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），最大漏极电流可达165A，导通电阻低至13mΩ，具备优异的电流承载能力和导通效率。基于碳化硅材料，该器件在高温和高压环境下仍能保持稳定工作，适用于高效电源转换系统，如光伏逆变器、储能系统、高密度电源模块及智能电网设备。其高频开关特性有助于提升整体系统效率，同时降低能量损耗和散热需求，标准封装设计便于集成与应用。
