IV1Q12017T4G_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具备优异的导热性、耐高温性及高击穿电压能力。器件漏极电流ID可达120A，导通电阻RDON低至16mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。适用于高功率、高频率的电力转换系统，如大功率电源设备、能源存储变换器及智能电网控制单元，能够在复杂电气环境下实现高效、稳定的运行表现。
