PCDP20120G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压应用场景。其正向压降为1.45V，在高温与高电压工作条件下仍保持优异的电学稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可显著降低开关损耗。适用于高效率直流电源、高压逆变系统、储能装置中的功率因数校正电路以及对功率密度和热性能要求较高的电源模块，有助于提升系统整体转换效率与可靠性。
