SIC20120B-BP-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。
