G5S12008D_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，较传统硅器件更低，有助于减少导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具有优异的高频开关能力，反向恢复特性良好，可降低开关损耗并减小散热需求。适用于高效率电源系统，如通信电源、光伏逆变器、不间断电源及高密度DC-DC转换器，支持在高温环境下稳定运行。
