KM040120-R_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），支持60A连续漏极电流，导通电阻低至40mΩ，具备优异的导电性能和较低的开关损耗。采用碳化硅半导体材料，提升了器件在高温、高频环境下的稳定性与效率。适用于高效能电源转换装置、可再生能源系统及高密度电力电子设备，在要求严苛的应用场景中提供可靠、高效的电力控制解决方案。
