E3M0120090D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:22A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:120mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为900V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高性能碳化硅半导体材料，具备出色的耐高压与导热能力。其漏源导通电阻（RDON）为120毫欧，在高温环境下仍能保持稳定导通性能，降低能量损耗。额定漏极电流（ID）为22A，适用于中高功率电源系统。该器件具备快速开关响应特性，可广泛应用于高效能电源转换设备，如太阳能逆变器、储能电源管理系统及高频开关电源，为系统提供高效、可靠的核心支持。
