VBP112MC30_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高耐压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为36A，导通电阻RDON低至80mΩ，能够在高电压和高电流条件下实现高效功率转换。碳化硅材料的使用提升了器件的热稳定性和高频工作能力，适用于电源适配器、新能源设备及高密度电力电子系统中的功率管理与调节。器件结构设计紧凑，便于集成，适合对效率和可靠性有较高要求的电力电子应用。
