PCDH20120G1_T0_00601_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，具备高耐压与大电流承载能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高功率运行条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料特性，该器件具有极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换器、储能系统中的功率级模块以及光伏逆变装置等，尤其适合对系统效率、热性能和功率密度有较高要求的电力电子应用场合。
